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? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Schottky Barrier Diode
RB085B-30
?Applications
?Dimensions(Unit : mm)
?Land size figure(Unit : mm)
General rectification
?Features
1)Power mold type.(CPD)
2)Low VF
3)High reliability
?Construction
?Structure
Silicon epitaxial planar
?Taping specifications(Unit : mm)
?Absolute maximum ratings(Ta=25?C)
Parameter LimitsSymbol Unit
Reverse voltage (repetitive peak) 35VRM
V
Reverse voltage (DC) 30VR
V
Io A10
Forward current surge peak (60Hz / 1cyc)(*1) 35IFSM
A
Junction temperature 150Tj
?C
Tstg
?C
(*1)Business frequencies, Rating of R-load, 1/2 Io per diode, Tc=105 °C
?Electrical characteristics(Ta=25?C)
Symbol Min. Typ. Max. Unit
Forward voltage
VF
- - 0.48 V IF=4.0A
Reverse current
IR
- - 300
?A
VR=30V
Thermal impedance
?jc
--6.0
?C/W
junction to case
Conditions
?40 to ?150
Parameter
Average rectified forward current(*1)
Storage temperature
ЮЮЮ②
ЮЮЮ②
ЮЮЮ②
CPD
1.6
2.3
2.3
1.6
3.0 2.0 6.0
6.0
(1)
(3)
(2)
1/3
2011.04 - Rev.E
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